本發(fā)明公開了一種雙向開關(guān)功率模塊及其制備方法，覆銅基板DBC的一側(cè)表面依次設(shè)置有驅(qū)動端子、碳化硅MOSFET芯片和功率端子，碳化硅MOSFET芯片包括多個且間隔設(shè)置，多個碳化硅MOSFET芯片之間兩兩一組并聯(lián)連接形成兩個不同方向的電力電子開關(guān)，每個碳化硅MOSFET芯片的柵極和源極分別經(jīng)驅(qū)動電阻與驅(qū)動端子連接，多個碳化硅MOSFET芯片設(shè)置在同一片銅基板上，源極分別與功率端子連接，形成共漏極連接。本發(fā)明具有更高的工作頻率，更好的可靠性，更低的熱阻及良好的電氣性能。