本發(fā)明的立方相、巖鹽礦結構Zn1－xMnxO薄膜及其制備工藝，屬于氧化物稀磁半導體薄膜的制備技術領域，其特征是采用電子束反應蒸發(fā)法，利用MnO的含量相對較高的(MnO)y(ZnO)1－y(y為摩爾比，y＝0.2～0.3)陶瓷靶作為蒸發(fā)源，以高純度的Ar/O2混合氣為反應氣體，在石英玻璃襯底上制備出Mn含量x(x為原子個數(shù)比)在0.6～1.0范圍、光學帶隙在4.5～5.7eV范圍內連續(xù)可調、厚度在200～1000nm范圍、具有立方相、巖鹽礦結構的Zn1－xMnxO薄膜。