本發(fā)明公開了一種基于自激勵(lì)單電子自旋電磁晶體管及制作工藝，所述晶體管包括襯底，襯底上設(shè)置有納米碳化硅薄膜結(jié)構(gòu)、源極、漏極、柵極，納米碳化硅薄膜結(jié)構(gòu)由層狀納米碳化硅單晶體薄膜互嵌構(gòu)成，納米碳化硅薄膜結(jié)構(gòu)的兩端分別與源極和漏極接觸，形成源漏極有源區(qū)，納米碳化硅薄膜結(jié)構(gòu)的上部依次設(shè)置有絕緣層、接觸金屬層，柵極從接觸金屬層引出。本發(fā)明通過設(shè)置由層狀納米碳化硅單晶體薄膜互嵌構(gòu)成的納米碳化硅薄膜結(jié)構(gòu)形成的納米線或帶，作為晶體管有源區(qū)，源漏極用Pd作為接觸金屬，形成肖特基勢壘，其中出現(xiàn)隧穿。在室溫下，本發(fā)明基于自激勵(lì)單電子自旋電磁晶體管的源漏電壓與漏電流的關(guān)系呈現(xiàn)干涉現(xiàn)象。