本發(fā)明公開了一種片狀硅粒子整流二極管的生產(chǎn)方法，包括下述步驟：步驟一：選取N-型111面芯片進(jìn)行擴(kuò)散工序制得PN結(jié)芯片；步驟二：把所述PN結(jié)芯片制作成為片狀GPP芯片；步驟三：把所述片狀GPP芯片封裝制造成片狀硅粒子整流二極管。本發(fā)明所述片狀硅粒子整流二極管的生產(chǎn)方法不會(huì)產(chǎn)生尖端電場(chǎng)區(qū)域，從而不會(huì)產(chǎn)生尖峰電場(chǎng)使得芯片被擊穿，從而對(duì)芯片起到了一定的保護(hù)作用，并提高了芯片的有效載流面積和耐受電流強(qiáng)度。