本發(fā)明涉及一種用于碳化硅功率器件的無引線封裝結(jié)構(gòu)和制備方法。本封裝結(jié)構(gòu)包括一個(gè)表面有開槽和通孔的圓形氮化鋁基底、碳化硅功率器件、無引線薄膜電路、一個(gè)鍵合在氮化鋁基底上的銅熱沉和氮化鋁封裝蓋子。本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)中沒有的引線，不用擔(dān)心引線可能引起的斷路、虛接的不良情況。而且，氮化鋁材料與碳化硅的熱導(dǎo)率相近，器件在凹槽內(nèi)固定，不會(huì)有過多的熱應(yīng)力，保證器件的可靠性。