本發(fā)明涉及發(fā)光LED技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氧化鋅基白光LED及其制備方法。所述方法為：以高純氧氣作為生長(zhǎng)氣體，在具有藍(lán)色電致發(fā)光特性的p-GaN襯底上生長(zhǎng)n-ZnO層，形成p-GaN/n-ZnO異質(zhì)結(jié)；并在制備所述異質(zhì)結(jié)的過(guò)程中，通過(guò)控制高純氧氣壓強(qiáng)及生長(zhǎng)溫度的方式，使異質(zhì)結(jié)的界面形成Ga、Zn、O互混的界面層，并使該界面層獲得黃色電致發(fā)光特性，從而使該界面層與p-GaN襯底發(fā)出的光可混合為白光；分別在p-GaN襯底及n-ZnO層上制備電極，完成氧化鋅基白光LED的制備。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明在生長(zhǎng)過(guò)程中一次性完成發(fā)光LED的制備，有效簡(jiǎn)化了發(fā)光LED制備工藝，對(duì)生長(zhǎng)材料要求不高，是制備ZnO基異質(zhì)結(jié)白光LED的可行方法，符合半導(dǎo)體照明光源技術(shù)的發(fā)展方向。