本發(fā)明公開了一種全固態(tài)鉭電解電容器器件及其ALD制備方法,制備方法包括:使用小電流密度對陽極鉭塊的Ta2O5介質層進行進一步補形成;使用ALD法在陽極鉭塊的Ta2O5介質層表面上沉積導電氧化物薄膜;使用導電碳漿、銀漿及銀絲對沉積的導電陰極層進行陰極電極引出。本發(fā)明采用ALD制備導電氧化物陰極薄膜的方法,避免傳統(tǒng)液相法中酸性物質及強氧化劑等對Ta2O5介質層帶來損害的同時,制備的氧化物陰極材料具有更高的電導率、良好的溫寬性、更高的孔隙覆蓋率、更強的附著力、大面積的均勻性及優(yōu)良的致密性等特征,且該沉積過程中無還原性氣體及等離子體對Ta2O5介質層產生損害,促進固態(tài)鉭電解電容器朝小型化、高容量引出率、高頻低阻抗及耐高溫長壽命的全面發(fā)展。
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“固態(tài)鉭電解電容器及其ALD制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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