本發(fā)明公開一種半導體α?GeTe靶材及其制備方法，在惰性氣體環(huán)境下將Ge和Te加熱熔煉成合金；然后從合金一端開始分段進行降溫冷卻；經過真空均勻化淬火處理，再經真空熱壓燒結后，得到半導體α?GeTe靶材。熔煉過程無需進行真空封管，優(yōu)化了工藝，降低了成本；采用定向凝固技術，對GeTe錠進行提純；進一步真空均勻化淬火處理和真空熱壓燒結技術使得合成的GeTe靶材成份均勻，具有較高的致密度，相對密度≥98.1％；含氧量≤0.0489％；Te含量為63.32～64.12wt％。保證靶材使用性能的優(yōu)異性的同時也適合產業(yè)化生產。