本發(fā)明涉及一種能降低污染的InSb單晶生長(zhǎng)熱場(chǎng)裝置，包括單晶生長(zhǎng)坩堝體和保溫模塊，單晶生長(zhǎng)坩堝體包括石墨坩堝，石墨坩堝的內(nèi)側(cè)和外側(cè)均固定安裝石英坩堝層，石英坩堝層將石墨坩堝密封包裹在其內(nèi)部；保溫模塊包括石英密封罩體，石英密封罩體內(nèi)部密封設(shè)置保溫碳?xì)?；還包括惰性氣體輸送管，惰性氣體輸送管其出口位于單晶生長(zhǎng)坩堝體的表面開(kāi)口處，使得惰性氣體輸送管內(nèi)的惰性氣體經(jīng)加熱后吹散在液面和晶體表面，降低單晶生長(zhǎng)坩堝體內(nèi)的溫度梯度；本發(fā)明消除了污染源，提高了單晶生長(zhǎng)環(huán)境的清潔度；特殊的氣體輸送管路能減少液面和晶體表面的溫度梯度，能生長(zhǎng)出高質(zhì)量低位錯(cuò)密度的單晶。