本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其為一種形成氮化物半導(dǎo)體器件的工藝，針對(duì)現(xiàn)有的氮化物半導(dǎo)體器件的抗靜電能力弱，很容易因靜電損耗氮化物半導(dǎo)體器件的特性的問(wèn)題，現(xiàn)提出如下方案，該生產(chǎn)工藝包括以下步驟：S1：選擇襯底和半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體堆疊體，半導(dǎo)體堆疊體依次在襯底上生長(zhǎng)成溝道層和阻擋層；S2：對(duì)上述生長(zhǎng)成的溝道層和阻擋層的頂部進(jìn)行蝕刻，以便在溝道層和阻擋層的頂部形成凹槽。本發(fā)明設(shè)計(jì)合理，在溝道層、阻擋層和接觸層的非接觸位置均包裹了橡膠，有效的避免了電荷在氮化物半導(dǎo)體器件表面的流動(dòng)，解決了氮化物半導(dǎo)體器件抗靜電能力弱的問(wèn)題，擴(kuò)展了氮化物半導(dǎo)體器件的適用范圍。