本發(fā)明涉及一種具有各向異性的硅量子點(diǎn)薄膜的制備方法，公開(kāi)了一種調(diào)整元素成分變化產(chǎn)生不同的應(yīng)變能誘導(dǎo)各向異性的多形態(tài)硅量子點(diǎn)形成，進(jìn)而調(diào)整其吸收光譜范圍，并顯著提高所用材料光電轉(zhuǎn)換效率的技術(shù)方法。主要步驟如下：首先，鍍膜前預(yù)處理，然后利用Ar離子對(duì)不同成分比例的硅鍺合金靶和碳靶進(jìn)行磁控共濺射，調(diào)整硅鍺和碳靶的濺射功率，在硅和玻璃基體上沉積成分可控的非晶碳化硅鍺薄膜；再后，在氮?dú)鈿夥罩蟹蛛A段退火處理，形成鑲嵌在非晶SiC內(nèi)部具有各向異性的多形態(tài)硅量子點(diǎn)薄膜。此類(lèi)薄膜擁有多激子效應(yīng)，同時(shí)在1800nm（紅外光）至300nm（紫外光）的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有多波長(zhǎng)光吸收特征，有望大幅提高硅基光伏器件的光吸收和光電轉(zhuǎn)換效率。