本發(fā)明提供一種銀鉭復(fù)合材料構(gòu)建的有序多孔陣列及其制備方法，采用磁控濺射沉積銀、鉭復(fù)合薄膜，將清洗干凈的單晶硅片真空下并沉積鉻膜；然后控制電流強度，分別精確調(diào)控銀、鉭元素沉積速率，維持腔室反應(yīng)壓力，持續(xù)濺射沉積，鉭元素封堵銀在沉積過程中形成的間隙，在適當(dāng)?shù)你y、鉭元素沉積速率下形成銀鉭復(fù)合材料構(gòu)建的有序多孔陣列。隨著鉭沉積速率的增加，薄膜表面孔狀陣列會被鉭元素大量封堵，進一步形成更為光滑的薄膜表面形貌。本發(fā)明所制備的銀鉭復(fù)合材料有序多孔陣列制備過程簡單，比表面積大，便于大面積生長，成本低，薄膜表面無有機化合物污染，能廣泛應(yīng)用于SERS傳感、金屬催化、納米探針、光電器件、太陽能電池，吸附材料等領(lǐng)域。