本發(fā)明涉及半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)薄膜的制備方法，特別是利用倒置多孔氧化鋁模板，轉(zhuǎn)印有序點(diǎn)陣技術(shù)，利用濺射技術(shù)制備有序高密度鍺納米點(diǎn)陣的制備方法。本發(fā)明采用經(jīng)典兩步陽(yáng)極氧化法制備多孔氧化鋁不通孔模板，然后利用濺射技術(shù)，在保持高真空環(huán)境的工作室中，以高純氬氣為工作氣體，工作室濺射壓強(qiáng)0.5Pa～2Pa，生長(zhǎng)溫度600～800℃，濺射功率50W～100W條件下，在被移植到硅基底材料上生長(zhǎng)厚度＜50nm硅緩沖層完成有序結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)印，然后呈有序結(jié)構(gòu)分布的硅緩沖層上生長(zhǎng)鍺納米點(diǎn)陣。本發(fā)明具有生產(chǎn)成本低、可控性好、所制備鍺納米點(diǎn)陣具有密度高，有序性好等特點(diǎn)。