本發(fā)明提供一種檢測SiGe材料在電化學(xué)沉積過程中帶隙變化的方法，屬于SiGe電沉積制備方法領(lǐng)域。該方法利用原位光譜電化學(xué)技術(shù)，觀察沉積過程中SiGe材料吸收光譜的變化，分析沉積過程及SiGe帶隙變化；本發(fā)明利用離子液體電沉積技術(shù)與原位光譜電化學(xué)法的結(jié)合，使用無毒無污染的綠色離子液體[EMIm]Tf2N+GeCl4+SiCl4做為電解液，調(diào)控電化學(xué)沉積步驟及吸收光譜測量，原位表征SiGe在離子液體中的電沉積過程，本方法利用了半導(dǎo)體能夠強(qiáng)烈的吸收光能，通過吸收光譜的變化可以反映出電化學(xué)沉積過程進(jìn)行的快慢、沉積過程中帶隙的變化。該檢測方法工藝簡單，操作方便，易于實(shí)現(xiàn)。