本發(fā)明公開了一種光電化學適配傳感器及其制備方法和檢測DBP方法，所述光電化學適配傳感器包括導電基底、固定在導電基底上的含有鈣鈦礦相的CTAB@CH3NH3PbI3層、覆蓋在CTAB@CH3NH3PbI3層上的適配體ATP層。其中CTAB通過形成保護層并鈍化CH3NH3PbI3的X?和A?位空位來增強CH3NH3PbI3的光電響應和耐濕性。CTAB還通過陽離子基團和核酸適配體(APT)的磷酸基團之間的靜電相互作用來幫助固定核酸適配體。在對DBP進行特異性識別后，DBP適配體由于對引入的DBP具有較強的親和力而從電極中釋放出來，導致光電信號增強。本發(fā)明的CH3NH3PbI3具有良好的光電化學特性和適配體的特異性識別能力，制備的PEC傳感器的線性范圍為0.1pmol·L?1?10nmol·L?1，檢出限和定量限分別低至2.5×10?14M和8.2×10?14M(S/N＝3)。