本發(fā)明屬于探測器陣列的制作工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高占空比背照式GaN探測器陣列及其制作方法，所述制作方法包括在GaN外延片上濺射Ni/Au層；在所述Ni/Au層上采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉淀法PECVD生長SiNx/SiO2膜；在所述SiNx/SiO2膜上涂覆光刻膠層；曝光顯影，采用接觸式曝光模式曝光探測器GaN外延片；采用電磁耦合等離子體ICP方法刻蝕SiNx/SiO2膜；采用電磁耦合等離子體ICP方法刻蝕GaN層；采用氫氟酸去除SiNx/SiO2膜及殘余光刻膠；本發(fā)明本發(fā)明具有成本低、效率高、制作工藝簡單等優(yōu)點(diǎn)，在制作背照式GaN探測器陣列的技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)有突出的技術(shù)優(yōu)勢。