本發(fā)明是關(guān)于一種監(jiān)控晶圓缺陷的方法。該方法是首先提供一晶圓,該晶圓上存在有一缺陷,接著進(jìn)行一化學(xué)處理步驟,以擴(kuò)大晶圓上的缺陷,之后在晶圓上形成一共形材料層,然后使用掃描儀器找出晶圓上的缺陷。本發(fā)明因?yàn)椴捎没瘜W(xué)處理步驟,以擴(kuò)大晶圓上的缺陷處,因此可以彰顯晶圓上的缺陷處,突破了現(xiàn)有的掃描儀器的偵測(cè)極限,能夠及早反應(yīng)出產(chǎn)品上小于奈米級(jí)以下的缺陷,不需額外添購(gòu)昂貴的掃描儀器,即可達(dá)到比原先只利用掃描儀器例如是亮場(chǎng)檢知器(Bright field inspector)更好的效果。