本發(fā)明公開了一種判定晶體管鍵合彈坑的方法，檢測(cè)步驟為：1)配氫氧化鈉溶液，放入燒杯，加熱；2)將鍵合好的樣品完全浸入氫氧化鈉溶液中；3)鍵合鋁絲和芯片表面的鋁完全反應(yīng)掉后，取出，用酒精清洗干凈后，在顯微鏡中觀察；4)觀察清洗后的芯片，在鍵合點(diǎn)位置是否有損傷，如果有損傷，說(shuō)明當(dāng)前鍵合工序鍵合是有問(wèn)題的，需要調(diào)整，如無(wú)損傷，說(shuō)明當(dāng)前鍵合工序鍵合是有問(wèn)題的。本發(fā)明通過(guò)化學(xué)方法對(duì)樣品進(jìn)行腐蝕解剖，去除芯片表面的鋁層，觀察鋁層下面的硅層狀態(tài)來(lái)判斷鍵合質(zhì)量的好壞，檢測(cè)步驟簡(jiǎn)單，檢測(cè)效果好。