本發(fā)明屬于ESD芯片制造領(lǐng)域，尤其是一種低電容ESD芯片制造工藝，針對現(xiàn)有的ESD芯片漏電流高，電容值高問題，現(xiàn)提出如下方案，其包括以下步驟：S1、擴散前處理：采用N型外延襯底，通過酸、SC3#配方清洗工序，對硅片表面進行化學處理；S2、零層光刻，初氧；S3、基區(qū)光刻：正膠工藝刻出基區(qū)；S4、基區(qū)補硼；S5、硼氧化：生成薄氧；S6、正面接觸區(qū)光刻，正面蒸鋁，正面金屬光刻；S7、真空合金，中檢；S8、正面貼膜保護，背面磨片，背面蒸鈦鎳銀錫；S9、測試，本發(fā)明漏電流低，電容值低。