本發(fā)明公開了一種錳摻雜單層二硫化鎢二維晶體的制備方法,屬于無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料制備領(lǐng)域。該Mn摻雜單層WS2二維晶體的制備方法為:以MnO2、NaCl、WO3、S為原料,在三溫區(qū)管式爐里面以Si/SiO2為基底,通過(guò)化學(xué)氣相沉積的方式制備得到Mn摻雜單層WS2二維晶體。本實(shí)驗(yàn)室生長(zhǎng)的本征WS2形貌多為規(guī)則的正三角形,Mn摻雜后的WS2樣品的光學(xué)圖像出現(xiàn)明顯的襯度差,并且會(huì)有部分不規(guī)則的多角形出現(xiàn)。本發(fā)明操作簡(jiǎn)單,成本低廉,對(duì)儀器設(shè)備要求低,合成的樣品化學(xué)及熱力學(xué)穩(wěn)定性好。所制備的樣品在電子、傳感器、探測(cè)器等光電及稀磁半導(dǎo)體方面有著巨大的應(yīng)用前景。
聲明:
“錳摻雜單層二硫化鎢二維晶體的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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