本發(fā)明提供一種掩膜金屬誘導晶化的多晶硅薄膜晶體管的制備方法，包括：連續(xù)橫向區(qū)域的多晶硅薄膜去除鎳硅氧化物、納米二氧化硅層和化學氧化層，以Freckle刻蝕液濕刻成有源硅島，通過低壓化學氣相沉的方法在425℃下沉積50納米厚的低溫氧化物作為柵極絕緣層；形成柵電極，將硼以4×1015/cm2計量離子注入源極和漏極；以LPCVD的方法沉積500nm的氧化物作為絕緣層并在柵極、源極和漏極區(qū)域上開電極接觸孔；濺射700納米厚的含1％Si的鋁光刻形成測試電極，在氫氣與氮氣的合成氣體中420℃下燒結30分鐘以形成良好的歐姆接觸，同時活化摻雜物。