本發(fā)明涉及晶體硅表面鍍膜領域，具體是一種新型PECVD的鍍膜工藝，工藝步驟為：進爐升溫穩(wěn)定溫度；氨氣吹掃；抽真空檢漏；預沉積；通化學反應氣體開射頻電離；抽真空；充氣；退火；出爐。采用本發(fā)明的鍍膜工藝鍍膜的硅片制備的電池片因為修復了硅片表面的轟擊損傷，降低了硅片表面的懸掛鍵數(shù)量，減少了復合中心，降低了電子的復合速率，增加了用于輸出電流的電子空穴對，提高了電池片的短路電流，提高了電池片的效率，極大地增加了在本行業(yè)的競爭力。