本發(fā)明一種四元LED芯片干法蝕刻方法，屬于LED蝕刻技術(shù)領(lǐng)域；解決的技術(shù)問題是提供了一種四元LED芯片干法蝕刻方法，在偏壓功率、電感耦合等離子體和蝕刻時間設(shè)定為特定值時調(diào)整氣體流量,使被蝕刻產(chǎn)品的均勻度降低，提高產(chǎn)品質(zhì)量；采用的技術(shù)方案為：一種四元LED芯片干法蝕刻方法，按照以下步驟進行：將偏壓功率、電感耦合等離子體功率和蝕刻時間設(shè)定為特定值，氣體流量設(shè)定為15±1sccm；將帶有掩膜的待蝕刻材料放入反應(yīng)腔內(nèi)；將蝕刻完成的材料取出，置入化學(xué)溶液中去除掩膜；將材料放入測量儀，測試材料多個位置的蝕刻深度；本發(fā)明可廣泛應(yīng)用于蝕刻技術(shù)領(lǐng)域。