本發(fā)明提供一種集成電路和半導(dǎo)體裝置制造方法、隔絕區(qū)域階高控制方法,其隔絕區(qū)域的階高之間具有較佳的一致性。集成電路的制造方法包括提供一基板,其具有一個(gè)或多個(gè)溝槽;填充上述一個(gè)或多個(gè)溝槽;對(duì)已填充的一個(gè)或多個(gè)上述溝槽進(jìn)行一化學(xué)機(jī)械研磨工藝,其中一個(gè)或多個(gè)上述溝槽中的每一個(gè)包括一厚度;測(cè)量已填充的一個(gè)或多個(gè)上述溝槽中的每一個(gè)的上述厚度;根據(jù)已填充的一個(gè)或多個(gè)上述溝槽中的每一個(gè)的已測(cè)量的上述厚度決定進(jìn)行一蝕刻工藝的一總時(shí)間。以已決定的上述總時(shí)間進(jìn)行上述蝕刻工藝。本發(fā)明提供優(yōu)點(diǎn):改善元件的整體性能;提供更好的關(guān)鍵尺寸一致性;提升對(duì)工藝變異的控制,特別是階高的變異;以及易于與公知工藝整合。
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“集成電路和半導(dǎo)體裝置制造方法、隔絕區(qū)域階高控制方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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