本發(fā)明公開了一種垂直結(jié)構(gòu)LED的襯底剝離方法，該垂直結(jié)構(gòu)LED包括依次層疊的高摻硅層、LED芯片層和硅襯底層，該方法包括以下步驟：1)首次超聲清洗；2)研磨：使用金剛石磨盤對硅襯底層進行研磨，設(shè)置減薄量為硅襯底層總厚度的20?90％；3)再次超聲清洗；4)刻蝕：使用感應(yīng)耦合等離子體對殘余硅襯底層進行刻蝕，刻蝕腔壓力為10?3?10?5Pa，刻蝕氣體為SF6。本方法采用物理研磨與化學(xué)刻蝕相結(jié)合的方式，以去除垂直結(jié)構(gòu)LED的硅襯底，而對LED芯片層或高摻硅層幾乎沒有影響，可提高LED器件性能，可廣泛應(yīng)用于LED、LD、光電探測器、太陽能電池等領(lǐng)域。