本發(fā)明公開了一種多孔硅基二氧化碲納米棒復(fù)合結(jié)構(gòu)氣敏傳感器元件的制備方法,采用雙槽電化學(xué)腐蝕法在p型單面拋光的單晶硅片的拋光表面制備多孔硅層,再利用蒸發(fā)法在多孔硅上原位生長二氧化碲納米棒,制得復(fù)合結(jié)構(gòu)的多孔硅基二氧化碲納米棒,再于超高真空對靶磁控濺射設(shè)備的真空室,利用磁控濺射法在其表面沉積形成兩個鉑點電極。提供了一種制備過程簡單,易于控制、實現(xiàn)室溫下對氮氧化物氣體探測,具有高靈敏度等優(yōu)異氣敏特性的新型多孔硅基二氧化碲納米棒復(fù)合結(jié)構(gòu)的氣敏傳感器元件。
聲明:
“多孔硅基二氧化碲納米棒復(fù)合結(jié)構(gòu)氣敏傳感器元件的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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