本發(fā)明提供了一種III族氮化物襯底以及制備方法。所提供的襯底的III族元素面至少存在一個橫截面為V型的溝槽，所述溝槽的深度范圍是0.3nm-50nm，寬度范圍是10nm-500nm。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，只去除晶格損傷而不特別在意是否去除劃痕，測試結(jié)果表明，與現(xiàn)有技術(shù)中采用無劃痕襯底相比，所獲得的外延層質(zhì)量相同。因此，本發(fā)明摒棄了外延襯底一定要無劃痕的技術(shù)偏見，提供了有劃痕的襯底用于外延生長，節(jié)省了化學(xué)機(jī)械拋光帶來的工藝成本。