本發(fā)明專(zhuān)利公開(kāi)了具有室溫線(xiàn)性磁阻效應(yīng)的層狀單晶材料、制備方法及應(yīng)用，具體涉及單晶材料的技術(shù)領(lǐng)域。采用化學(xué)氣相輸運(yùn)法生長(zhǎng)Fe5GeTe2單晶。制備方法包括如下步驟：S1、按照摩爾質(zhì)量比5:1:2配制Fe、Ge、Te原料；S2、按照5mg/cm–2配制I2；S3、將步驟S1和S2中配制好的原料進(jìn)行充分研磨，然后將研磨后的原料置于石英管內(nèi)，并將石英管抽為真空狀態(tài)；S4、石英管密封后放置于兩溫區(qū)管式爐中，生長(zhǎng)端700℃,原料端750℃，經(jīng)過(guò)7天的生長(zhǎng)周期，自然降溫即可獲得毫米級(jí)的具有高質(zhì)量的Fe5GeTe2單晶體。采用本發(fā)明技術(shù)方案解決了現(xiàn)有磁傳感器的磁滯現(xiàn)象對(duì)測(cè)量精度影響較大的問(wèn)題，可用于制備溫度范圍適用更廣的單晶材料。