本發(fā)明提供一種2.5D封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，將去除底部金屬層的工藝放置在最后，以使底部金屬層能夠隔離去除第二支撐襯底時(shí)激光照射對(duì)封裝結(jié)構(gòu)特別是芯片的影響，從而保護(hù)2.5D封裝結(jié)構(gòu)保護(hù)所述芯片，提高2.5D封裝芯片可靠性測(cè)試的成功率及成品率；底部金屬層易于形成和去除，不會(huì)增加封裝成本，工藝簡單有效；半導(dǎo)體襯底的第二表面經(jīng)過化學(xué)機(jī)械研磨，提高了半導(dǎo)體襯底的平整度，既能提高后續(xù)封裝中多個(gè)界面的結(jié)合強(qiáng)度，也可降低底部金屬層與TSV導(dǎo)電柱的接觸電阻；TSV導(dǎo)電柱、連接焊盤及金屬凸塊位于同一垂線上，可有效地減小電阻減小信號(hào)的延時(shí)。