本發(fā)明公開了GaSe/MoS2異質(zhì)結(jié)的制備方法，屬于光電器件的技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明要解決現(xiàn)有制備GaSe/MoS2異質(zhì)結(jié)存在MoS2納米片形狀不規(guī)則而且層數(shù)不可控、難以精確控制的技術(shù)問題。本發(fā)明采用化學氣相沉積法得到單層MoS2，然后采用PDMS作為轉(zhuǎn)移的媒介利用轉(zhuǎn)移平臺將機械剝離的GaSe與MoS2結(jié)合獲得GaSe/MoS2異質(zhì)結(jié)。本發(fā)明制備的GaSe/MoS2異質(zhì)結(jié)是具有很好的光電性能，是許多光電器件的核心組件，比如紫外光電探測器等。