本發(fā)明屬于納米酞菁銦制備技術(shù)領(lǐng)域，具體公開(kāi)一種新晶體結(jié)構(gòu)酞菁銦納米線(xiàn)及其制備方法，所述酞菁銦納米線(xiàn)的X?射線(xiàn)衍射譜在下列的2θ處具有一個(gè)或多個(gè)特征峰7.338、16.635、21.285、23.253、25.222、27.164、27.769、28.217；所述X?射線(xiàn)衍射譜的測(cè)試條件為：CuKα1，0.02°/step/1s；其制備方法包括放入酞菁銦源料至水平管式爐中的加熱區(qū)域，在載氣氛圍下，以階梯升溫的方式加熱，升溫速率為1?8℃/min,加熱酞菁銦源料至470?800℃，通過(guò)該載氣，引導(dǎo)該升華的酞菁銦離開(kāi)該加熱區(qū)域，至生長(zhǎng)區(qū)域得到酞菁銦納米線(xiàn)，本發(fā)明得到具有特定結(jié)構(gòu)的InPC均勻性好，平均直徑為100nm以下，納米線(xiàn)束的長(zhǎng)度通常為10mm以上，提升和改善了酞菁銦的物理和化學(xué)性質(zhì)，能更好地應(yīng)用于光電導(dǎo)材料、液晶彩色顯示等領(lǐng)域中。