本發(fā)明提供了一種去除碳化硅晶片表面顆粒的清洗方法，本發(fā)明中的有機(jī)清洗通過堿性有機(jī)溶劑+機(jī)械作用相結(jié)合的辦法，來去除表面黏著的蠟質(zhì)、拋光液中的無機(jī)研磨液、硅溶膠和其余的大顆粒；無機(jī)清洗通過化學(xué)藥液和機(jī)械作用相結(jié)合的辦法來進(jìn)一步去除碳化硅表面的小顆粒；表面鈍化通過氧化作用來去除碳化硅表面的懸掛鍵，防止顆粒的再次吸附污染。本發(fā)明中的方法清洗的晶片通過Candela 920測試，0.3um以上顆粒數(shù)小于300個(gè)，合格率可以達(dá)到90％以上。