本發(fā)明屬于芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種大功率放電管芯片制造工藝，針對(duì)現(xiàn)有的放電管芯片制作方式復(fù)雜，且制作芯片漏電流高，電容值高，高溫反偏性能弱，抗浪涌能力弱的問(wèn)題，現(xiàn)提出如下方案，其包括以下步驟：S1：擴(kuò)散前處理；S2：氧化；S3：?jiǎn)蜗蚬饪?；S4：低溫氧化；S5：離子注入；S6：氧化表面處理；S7：光刻處理；S8：測(cè)試，所述S1中準(zhǔn)備并采用N型單晶硅片，通過(guò)酸、SC3#配方清洗工序，對(duì)硅片表面進(jìn)行化學(xué)處理。本發(fā)明設(shè)計(jì)成正面TSS，背面TVS與AK系列TVS合并封裝成一種保護(hù)器件，漏電流低，電容值低，高溫反偏性能強(qiáng)，抗浪涌能力強(qiáng)。