本發(fā)明公開一種GaNHEMT器件的高頻無損逐周期電流檢測電路，涉及氮化鎵基第三代寬禁帶半導體領域，包括GaN HEMT器件器件電路、電流源電路、動態(tài)導通電阻提取電路和運放差分電路，可通過探測器件漏極電壓推算得到，通過器件漏源極的高頻電流，省去了電流探測器，避免了電流探測器帶來的損耗，減小了電路環(huán)路面積。該方法還能有效地將GaN HEMT器件的自熱效應及其獨有的俘獲效應解嵌，從而獲得高精度的電流探測結果，能夠廣泛地運用于高頻功率電子線路中。