本發(fā)明屬于半導體集成電路制造技術(shù)領域，具體為一種快速無損測量石墨烯薄膜厚度與能隙的方法。本發(fā)明首先利用橢圓偏振技術(shù)得到薄膜的橢偏數(shù)據(jù)；然后根據(jù)所測薄膜的結(jié)構(gòu)建立合適的理論模型，對得到的橢偏數(shù)據(jù)進行分析和擬合，得到所測石墨烯薄膜的厚度與能帶結(jié)構(gòu)。本發(fā)明大大簡化了以往超薄薄膜厚度測試的復雜性、降低了利用其它技術(shù)工藝實施的困難程度，在22納米后大規(guī)模集成電路制造中具有重要應用價值。