本發(fā)明公開(kāi)了一種基于GaN HEMT器件的自激驅(qū)動(dòng)與功率變換電路。該電路采用了新型的GaN基HEMT器件，提高電路工作頻率至MHz。器件采用了硅襯底，并采用了Q1和Q2雙晶體管片上設(shè)計(jì)，兩個(gè)晶體管共用一個(gè)晶圓，減小體積、降低成本、提升可靠性控制。器件還采用了集成式反向并聯(lián)二極管結(jié)構(gòu)，提升器件的反向?qū)ㄌ匦?。電路通過(guò)功率電路主變壓器中的第三輔助繞組Na，采用正反饋模式的自激驅(qū)動(dòng)腔自動(dòng)為Q1提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)，無(wú)須控制芯片，Q1的驅(qū)動(dòng)需要通過(guò)針對(duì)GaN HEMT器件特殊的驅(qū)動(dòng)緩沖電路來(lái)保證其可靠驅(qū)動(dòng)。電路進(jìn)一步采用了集成式的高頻電流逐周期檢測(cè)方案，與自激驅(qū)動(dòng)腔共用一個(gè)線圈，省去了電流檢測(cè)電阻，實(shí)現(xiàn)了無(wú)損耗電流檢測(cè)。