本發(fā)明公開了一種p型透明導(dǎo)電薄膜介電函數(shù)和電子關(guān)聯(lián)度的獲取方法,結(jié)合模擬橢偏參數(shù)和實驗橢偏參數(shù)建立第一評價模型,基于聯(lián)合色散模型初始化該色散模型參數(shù)和膜厚,對橢偏光譜進行評價得到聯(lián)合色散模型的最佳擬合參數(shù),進而得到初步介電函數(shù),然后建立包含薄膜電阻率的光學計算值和電學測量值的第二評價模型,得到薄膜的最佳介電函數(shù);最后根據(jù)所述最佳介電函數(shù)轉(zhuǎn)換得到光電導(dǎo)率,結(jié)合等離子體頻率計算薄膜樣品的歸一化電子關(guān)聯(lián)度;本發(fā)明對薄膜材料的橢偏光譜提出了數(shù)值和物理雙重評價體系,無需制備電極,依據(jù)測得的有效最佳介電函數(shù),通過光學參量計算即可無損的獲取透明導(dǎo)電薄膜的電子關(guān)聯(lián)度。
聲明:
“p型透明導(dǎo)電薄膜介電函數(shù)和電子關(guān)聯(lián)度的獲取方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)