本發(fā)明公開了一種基于絕緣層上硅的電荷耦合器件，包括背柵極、襯底、埋層氧化層、漏極區(qū)、源極區(qū)、頂層硅溝道區(qū)、漏極金屬接觸、源極金屬接觸、正柵極氧化層和正柵極。入射光照射到器件表面時被襯底吸收，產生的少數載流子積累到由脈沖背柵形成的深耗盡勢阱中，頂層薄硅耦合出與勢阱中少子對應的電荷，正柵極施加電壓放大光響應信號，從而有效收集載流子，實現隨機、無損和高速讀出；本發(fā)明可有效擴寬傳統(tǒng)電荷耦合器件的光譜響應范圍，同時改變了傳統(tǒng)電荷耦合器件的讀出方式，產生的信號直接由單個像素結構輸出，且通過在正柵極施加電壓對電荷積累起到增益的作用，放大器件的光響應信號，提高探測的響應速度和可靠性。