本發(fā)明公開了一種太赫茲波背腔式片載天線，包括依次重疊設(shè)置的底層金屬層、介質(zhì)層、頂層金屬層，所述頂層金屬層上開設(shè)有一區(qū)域用于設(shè)置呈矩形狀且其上帶有縫隙的縫隙加載輻射貼片，在頂層金屬層上通過走線形成的金屬條的一端與縫隙加載輻射貼片垂直連接進(jìn)而形成CPW饋電端，在頂層金屬層外的CPW饋電端下方的底層金屬層上開設(shè)矩形縫隙構(gòu)成電磁帶隙匹配網(wǎng)絡(luò)，底層金屬層與頂層金屬層通過金屬過孔連接形成一U形狀的SIW諧振背腔。本發(fā)明的天線結(jié)構(gòu)，使天線結(jié)構(gòu)緊湊，增加天線增益，提高天線輻射效率，增加天線的阻抗帶寬，滿足在太赫茲波成像、太赫茲無損探測(cè)以及太赫茲通信等領(lǐng)域的應(yīng)用要求，且與主流CMOS工藝全面兼容，適用于各種電阻率的硅基片。