本實(shí)用新型公開了一種用于碲鎘汞器件增透膜層生長的裝置,所述裝置包括:靶材,安裝在增透膜層生長腔室的底部,并通過匹配箱與射頻電源連接;樣品托,安裝在增透膜層生長腔室的頂部,所述樣品托上設(shè)置有具有樣品槽的內(nèi)嵌式樣品盤,所述樣品槽外部設(shè)置有壓片,所述壓片中間設(shè)置有孔,孔的形狀、大小與碲鎘汞器件需要鍍膜的區(qū)域一致,且所述壓片上的孔與所述靶材上下對正。本實(shí)用新型通過上述裝置對碲鎘汞器件進(jìn)行增透膜層生長,由于設(shè)置有壓片,在需要保護(hù)的讀出電路沒有生長上增透膜層,保證了器件的電學(xué)連通,并且沒有對探測器器件產(chǎn)生附加損傷,達(dá)到了良好的無損傷生長目的。