本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種可控硅耐量測(cè)試裝置及方法，通過(guò)第一控制電路根據(jù)設(shè)定沖擊持續(xù)時(shí)間和設(shè)定沖擊間隔時(shí)間控制第二控制電路每次輸入的電流沖擊信號(hào)的沖擊持續(xù)時(shí)間和沖擊間隔時(shí)間。然后，通過(guò)第二控制電路按照設(shè)定沖擊電流幅度向待測(cè)可控硅輸入電流沖擊信號(hào)，并記錄電流沖擊信號(hào)的沖擊次數(shù)。最后，通過(guò)回路電流檢測(cè)電路檢測(cè)待測(cè)可控硅的回路電流信號(hào)，并根據(jù)回路電流信號(hào)顯示待測(cè)可控硅的回路電流狀態(tài)。如此，能夠基于待測(cè)可控硅的回路電流狀態(tài)分析電流沖擊信號(hào)的沖擊次數(shù)，將半導(dǎo)體器件的電流沖擊耐受能力進(jìn)行有效量化，以便于后續(xù)準(zhǔn)確評(píng)估半導(dǎo)體器件的電流沖擊耐受能力，進(jìn)而采取必要手段降低半導(dǎo)體器件的器件失效比例。