本發(fā)明公開了一種SiC MOSFET浪涌性能的測試方法。將場效應管器件放置在測試探針臺上，連接浪涌電流產(chǎn)生電路和驅(qū)動電路，設置輸出電流幅值和周期并施加到場效應管器件進行浪涌測試，測量得到不同幅值浪涌電流下的源漏電壓、經(jīng)過浪涌測試后器件的柵源電阻以及浪涌測試前和浪涌測試后的轉(zhuǎn)移特性曲線，轉(zhuǎn)移特性曲線的橫縱坐標分別為源漏電壓和漏極電流；利用浪涌電流產(chǎn)生電路產(chǎn)生浪涌電流，在浪涌電流通過器件后，器件在電學特性上會發(fā)生變化，根據(jù)電學特性的變化來判斷器件是否失效。本發(fā)明提供了一種簡單可靠的測試SiC MOSFET浪涌可靠性的方法，可有效得到SiC MOSFET場效應管器件的浪涌性能和數(shù)據(jù)。