本發(fā)明提供了一種浮柵回刻的深度的測(cè)試方法，包括：提供襯底；在所述襯底上分別形成第一隔離層和第二隔離層；在所述第一隔離層上形成浮柵多晶硅，刻蝕浮柵多晶硅形成浮柵，所述浮柵呈條狀結(jié)構(gòu)；在所述浮柵和所述第二隔離層上形成ONO層；在所述ONO層上沉積控制柵多晶硅，刻蝕控制柵多晶硅形成控制柵，所述控制柵呈條狀結(jié)構(gòu)，所述浮柵和所述控制柵形成叉指結(jié)構(gòu)；使用如下公式計(jì)算浮柵回刻的深度；在本發(fā)明浮柵回刻的深度的測(cè)試方法中，利用叉指結(jié)構(gòu)的數(shù)目、叉指結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度和ONO厚度就可以在不切片的情況下獲得浮柵的回刻深度，減少存儲(chǔ)單元失效的幾率，提高芯片的良率，并且與現(xiàn)有工藝兼容，無需開發(fā)新制程，不需要額外的掩膜版。