本發(fā)明公開一種選擇性發(fā)射極電池掩膜的制備方法，其特征在于它包括以下步驟：將印有刻蝕二氧化硅掩膜的硅片送入等離子體增強化學(xué)氣相沉積法PECVD反應(yīng)爐腔，爐腔內(nèi)壓強抽真空；升高壓強，同時通入N2O；檢測爐管壓強，30s內(nèi)降低壓強；進行預(yù)沉積處理，通入NH3、SiH4和N2O；沉積處理，同時向爐管內(nèi)通入NH3、？SiH4？和N2O；沉積完畢后降溫，同時通入N2進行吹掃及冷卻處理。本發(fā)明方法制作氮氧化硅掩膜的低溫效果降低了溫度對硅片少子壽命的影響，同時在二次擴散時不會因為高溫導(dǎo)致部分氫鍵斷裂造成氮化硅掩膜結(jié)構(gòu)損傷而引起掩膜功能失效，掩膜效果優(yōu)于氮化硅薄膜，同時還能阻擋其他雜質(zhì)金屬離子，降低硅片污染。