本公開(kāi)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：基底，所述基底包括相鄰設(shè)置的芯片區(qū)和劃片道區(qū)；偵測(cè)金屬層，位于所述基底上，且位于所述劃片道區(qū)靠近所述芯片區(qū)的一側(cè)，所述偵測(cè)金屬層能夠在激光照射下發(fā)生形態(tài)變化。本公開(kāi)實(shí)施例至少可以提前偵測(cè)激光切割的效果，有利于降低半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的失效率。