本發(fā)明提供了一種刻蝕控制方法，設置了套刻精度和高級工藝流程控制的相關參數(shù)之間的對應關系后，該方法首先測量光刻后晶片的當前層上光刻圖案的套刻精度，將所得的套刻精度發(fā)送到刻蝕機臺，由刻蝕機臺根據(jù)套刻精度得到刻蝕步驟中高級工藝流程控制的相關參數(shù)，以光刻圖案為掩膜，按照調整后的相關參數(shù)刻蝕當前層，改變刻蝕形成的半導體器件結構的形狀，改善因OVL造成的半導體器件失效，擴大工藝窗口和提高產(chǎn)品良率。