一種壓接式IGBT模塊多物理場(chǎng)耦合仿真方法，包括以下步驟：步驟一、通過(guò)ANSYS?simpleror計(jì)算壓接式IGBT模塊的集電極平均電流；步驟二、在ANSYS?Maxwell中計(jì)算壓接式IGBT模塊隨溫度變化的發(fā)熱功率；步驟三、在ANSYS?steady?state?thermal中計(jì)算壓接式IGBT模塊的內(nèi)部溫度分布；步驟四、在ANSYS?steady?state?mechanical中計(jì)算壓接式IGBT模塊內(nèi)部應(yīng)力分布。本發(fā)明能夠清晰地描述各物理場(chǎng)間的耦合關(guān)系，得到IGBT模塊實(shí)際運(yùn)行中內(nèi)部的溫度分布以及應(yīng)力分布狀態(tài)，從而預(yù)測(cè)出模塊內(nèi)部最易失效的部分。