本發(fā)明提供了一種倒裝發(fā)光二極管芯片及其制備方法，涉及芯片技術領域，該發(fā)光二極管芯片自下而上依次包括襯底、外延層、電流阻擋層、電流擴展層、第一導電金屬層、DBR反射層、第二導電金屬層、絕緣保護層及鍵合金屬層；其中，所述第一導電金屬層包括第一N型導電金屬與第一P型導電金屬，在單個所述發(fā)光二極管芯片內，所述第一N型導電金屬與所述第一P型導電金屬的數(shù)量比為1：2?1：30。本發(fā)明能夠解決現(xiàn)有技術中第一N型導電金屬與第一P型導電金屬間距較大，導致電流擴散困難及電流擴散不均勻，在較大的雷擊浪涌測試時，大電壓輸入的情況下，電流無法迅速擴散，導致芯片燒毀失效的技術問題。