本發(fā)明提供了電子輻照下SiC MOSFET閾值電壓恢復(fù)方法及裝置，屬于SiC MOSFET的閾值電壓恢復(fù)領(lǐng)域，方法包括：將待恢復(fù)的SiC MOSFET裸芯片固定，且將待恢復(fù)的SiC MOSFET裸芯片的各電極引出；對待恢復(fù)的SiCMOSFET裸芯片進(jìn)行若干次連續(xù)電子輻照；電子輻照后，測量待恢復(fù)的SiCMOSFET閾值電壓，當(dāng)實(shí)際閾值電壓與健康閾值電壓相比較，若兩者相等，則停止對待恢復(fù)的SiC MOSFET裸芯片的電子輻照；否則，繼續(xù)對待恢復(fù)的SiC MOSFET裸芯片進(jìn)行電子輻照；本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了失效SiC MOSFET的回收再利用。