本發(fā)明公開(kāi)了一種離子注入機(jī)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法,包括以下步驟:S1、先取光硅片,并生長(zhǎng)氧化層;S2、對(duì)生長(zhǎng)氧化層的光硅片進(jìn)行離子注入,且將離子注入的濃度峰值注入在硅和氧化層的交界面;S3、進(jìn)行快速熱處理,激活雜質(zhì),形成導(dǎo)電層;S4、去除氧化層;S5、對(duì)去除氧化層的導(dǎo)電層進(jìn)行電阻值的測(cè)試,確認(rèn)電阻穩(wěn)定性;S6、對(duì)導(dǎo)電層進(jìn)行多次定頻監(jiān)控;本發(fā)明改變現(xiàn)有的注入機(jī)臺(tái)監(jiān)控方式,對(duì)注入機(jī)能量和劑量的穩(wěn)定性監(jiān)控都能起到很好的作用,大大降低因機(jī)臺(tái)的波動(dòng)而造成批量產(chǎn)品的失效報(bào)廢的機(jī)率,具有良好的市場(chǎng)應(yīng)用價(jià)值。
聲明:
“離子注入機(jī)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)